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LT-2型單晶少子壽命測試儀$n是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

CV-2000型電容電壓特性測試儀$n作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測試儀$n在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段，通過C-V測試達到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。

RTS-11型金屬四探針測試儀$n于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻$n測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；$n是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試金屬材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。

RTS-5型雙電測四探針測試儀測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析